I-V曲线校正方法-分析方法：

E01，通过（式（76）-（80））进行修正，而作为E07标注的方法使用（式（88）)而不是（ 式（76）)。然后，可以利用固有参数的平移值来模拟目标条件下新的I-V曲线。

E02：血清法

Z初，我们有（方程（92）-（94））利用了SC、OC和MPP点。此外，由于平行电阻Rsh， 未知数减少到41使用在SC处计算的dI /dV的倒数进行近似（公式（97）)：

因此，只需要一个方程来求解系统。已知P = I·V对V的导数在MPP处必须为零，这样就可以推 导出以下表达式（式（98））：

一旦参数，就可以使用平移方程，模拟任何目标条件下的曲线。塞拉等人。[60]建议使用

（公式（85）)代替（公式（77）)进行校正是.要转换Iph，方法E02可使用（式（99）)，而方 法E08使用（式（100）)：

E03：东方岩的方法 

为了将未知数减少到3个，Orioli和Di Gangi [61]假设Iph等于ISC在相同条件下（等式（ 101）)： Iph1=ISC1(101) 这组方程由（方程（96）)和两个新的附加方程（方程（102）和（103）)组成，这样的未 知数为(Is1, m,接收站1):

一旦确定了未知数，这种方法将使用不同的程序来转换饱和电流是.首先，我们假设接收站2= 接收站1和Rsh2=Rsh1.然后第2版使用（式（43）)进行计算。Z后，得到了新的值是2是由 （方程（104）)：

此方法E09与E03相同，但使用（式（88）)而不是（式（76）)来进行校正Iph. 

E04：DeSoto的方法 

德索托等人。[62]提供了一些平移方程来修正STCs的固有参数到其他辐照度和温度的条件 (见（式（106）），二极管理想因子m没有除以Eg如在之前的其他表达式中，要翻译的是)：

该方程组由（方程式（92）-（94）和（98）)组成，要求解决一个额外的条件。利用平移 方程，可以表示Iph（T2）、Is（T2）和职业（T2）Iph1,是1和第1版，通过（式（109））-（ 111））：

因此，在工作温度下，使用OC点可以实现第五个方程T2（式（112）)，并假设Rsh (T2) = Rsh1:

另一种可能性是使用（公式（88））来翻译Iph，这的过程在本文中称为E10。 

E05：托莱多方法 

这种由Toledo和Blanes [63]开发的方法需要从初始曲线中输入四个任意的I-V点作为输入 来提取SDM的参数。因此，对于每个点，我们都需要电压坐标Vj、当前坐标Ij，以及在该点上的 I-V曲线的斜率。在我们的论文中，该方法使用SC、OC、MPP和MPP和OC之间的一个附加点进行了 测试，使用a-幂函数（在描述该方法的原始论文中定义）和= 10进行估计。 该方法是基于一个变量的单个方程的分辨率，称为E。让{V1，V2,V3,V4是四个选定点的电 压坐标，I2,I3,I4这些点的当前坐标，以及{IIII}在这些点上关于V的斜率或导数。 首先， 以下函数{P1,P2,P3,P4}定义为：

在第二步中，{Q1, Q2, Q3, Q4}还定义了：

现在，可以定义多项式Z(E)（方程（121）)：

有必要找到一个小于任何{IIIII}的J对值的多项式的根。 这个值将等于辅助变量E。 然后，可以使用（方程（122）-（126））得到其他辅助变量K、D、C、B、A：

内在参数由（式（127）-（131））给出，假设在我们的论文中平行细胞的数量为Np= 1:

Z后，方法E05使用（公式（76）、（77）、（79）和（80））将这些参数转换为G和T的其他 条件，并使用SDM（公式(9)）对I-V曲线进行模拟。在方法E11的情况下，（式（76）)用（式 （88）)代替。 

E06：肖的方法 

为了减少SDM中未知参数的数量，该方法忽略了平行电阻，i。e. , Rsh! ¥ .另一个合理 的简化方法是识别所生成的照片Iph1 电流与短路电流有关ISC1( Iph1=ISC1).因此，需要三个方 程组来求解这个方程组。D一个是MPP点下的SDM模型（式（132）)：

第二个方程可以是饱和电流is的表达式1作为二极管理想性因子m的函数：

第三个方程来自于串联电阻Rs的表达式1，根据理想性因子m（方程式（134）和（135）)：

Z后一步是修正来自(G1，T1）至(G2，T2使用 （公式（76）、（77）、（79）和（80）)。方法E12是相同的，但是使用了（式（88）)而不 是（式（76）)。

链接：IEC60891和其他温度和辐照度校正程序与光伏器件I-V特性的比较