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E01,通过(式(76)-(80))进行修正,而作为E07标注的方法使用(式(88))而不是( 式(76))。然后,可以利用固有参数的平移值来模拟目标条件下新的I-V曲线。
E02:血清法
Z初,我们有(方程(92)-(94))利用了SC、OC和MPP点。此外,由于平行电阻Rsh, 未知数减少到41使用在SC处计算的dI /dV的倒数进行近似(公式(97)):
因此,只需要一个方程来求解系统。已知P = I·V对V的导数在MPP处必须为零,这样就可以推 导出以下表达式(式(98)):
一旦参数,就可以使用平移方程,模拟任何目标条件下的曲线。塞拉等人。[60]建议使用
(公式(85))代替(公式(77))进行校正是.要转换Iph,方法E02可使用(式(99)),而方 法E08使用(式(100)):
E03:东方岩的方法
为了将未知数减少到3个,Orioli和Di Gangi [61]假设Iph等于ISC在相同条件下(等式( 101)): Iph1=ISC1(101) 这组方程由(方程(96))和两个新的附加方程(方程(102)和(103))组成,这样的未 知数为(Is1, m,接收站1):
一旦确定了未知数,这种方法将使用不同的程序来转换饱和电流是.首先,我们假设接收站2= 接收站1和Rsh2=Rsh1.然后第2版使用(式(43))进行计算。Z后,得到了新的值是2是由 (方程(104)):
此方法E09与E03相同,但使用(式(88))而不是(式(76))来进行校正Iph.
E04:DeSoto的方法
德索托等人。[62]提供了一些平移方程来修正STCs的固有参数到其他辐照度和温度的条件 (见(式(106)),二极管理想因子m没有除以Eg如在之前的其他表达式中,要翻译的是):
该方程组由(方程式(92)-(94)和(98))组成,要求解决一个额外的条件。利用平移 方程,可以表示Iph(T2)、Is(T2)和职业(T2)Iph1,是1和第1版,通过(式(109))-( 111)):
因此,在工作温度下,使用OC点可以实现第五个方程T2(式(112)),并假设Rsh (T2) = Rsh1:
另一种可能性是使用(公式(88))来翻译Iph,这的过程在本文中称为E10。
E05:托莱多方法
这种由Toledo和Blanes [63]开发的方法需要从初始曲线中输入四个任意的I-V点作为输入 来提取SDM的参数。因此,对于每个点,我们都需要电压坐标Vj、当前坐标Ij,以及在该点上的 I-V曲线的斜率。在我们的论文中,该方法使用SC、OC、MPP和MPP和OC之间的一个附加点进行了 测试,使用a-幂函数(在描述该方法的原始论文中定义)和= 10进行估计。 该方法是基于一个变量的单个方程的分辨率,称为E。让{V1,V2,V3,V4是四个选定点的电 压坐标,I2,I3,I4这些点的当前坐标,以及{IIII}在这些点上关于V的斜率或导数。 首先, 以下函数{P1,P2,P3,P4}定义为:
在第二步中,{Q1, Q2, Q3, Q4}还定义了:
现在,可以定义多项式Z(E)(方程(121)):
有必要找到一个小于任何{IIIII}的J对值的多项式的根。 这个值将等于辅助变量E。 然后,可以使用(方程(122)-(126))得到其他辅助变量K、D、C、B、A:
内在参数由(式(127)-(131))给出,假设在我们的论文中平行细胞的数量为Np= 1:
Z后,方法E05使用(公式(76)、(77)、(79)和(80))将这些参数转换为G和T的其他 条件,并使用SDM(公式(9))对I-V曲线进行模拟。在方法E11的情况下,(式(76))用(式 (88))代替。
E06:肖的方法
为了减少SDM中未知参数的数量,该方法忽略了平行电阻,i。e. , Rsh! ¥ .另一个合理 的简化方法是识别所生成的照片Iph1 电流与短路电流有关ISC1( Iph1=ISC1).因此,需要三个方 程组来求解这个方程组。D一个是MPP点下的SDM模型(式(132)):
第二个方程可以是饱和电流is的表达式1作为二极管理想性因子m的函数:
第三个方程来自于串联电阻Rs的表达式1,根据理想性因子m(方程式(134)和(135)):
Z后一步是修正来自(G1,T1)至(G2,T2使用 (公式(76)、(77)、(79)和(80))。方法E12是相同的,但是使用了(式(88))而不 是(式(76))。